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由 cathy 提交于

以前有写过一篇文章<a href="http://mouser.eetrend.com/blog/2020/100049905.html"&gt;“晶振”</a>简单介绍了晶振的一些简单参数，今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法：

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2020-06/博客/100049910-99911-1.jpg&quot; alt=“” ></center>

如上图，是常见的的无源晶振常见接法，而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法，有两种：

A，知道晶振的负载电容Cload，需要计算C<sub>e</sub>1与C<sub>e</sub>2；

B，某些IC有推荐C<sub>e</sub>1与C<sub>e</sub>2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。

方法A：

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2020-06/博客/100049910-99915-2.jpg&quot; alt=“” ></center>

如上图：C<sub>e</sub>1=C<sub>e</sub>2=2*[Cl-(Cs+Ci)]

其中，C<sub>e</sub>1,C<sub>e</sub>2为晶振外部的负载电容，也即是匹配电容

C<sub>l</sub>为晶振规格书的负载电容
C<sub>s</sub>为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和
C<sub>i</sub>为IC的PIN寄生电容。

计算开始：

C<sub>l</sub>通过规格书获取，一般为20pF。

C<sub>s</sub>与Ci采用估算值，C<sub>stray</sub>=C<sub>s</sub>+C<sub>i</sub>。一直范围为3pF~7pF。
那么：C<sub>e</sub>1(min)=C<sub>e</sub>2(min)=2*[20-7]=26pF
C<sub>e</sub>1(max)=C<sub>e</sub>2(max)=2*[20-3]=34pF

则这时候在这个区间选一个容值即可，基本没多大问题。

方法B：

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2020-06/博客/100049910-99914-3.jpg&quot; alt=“” ></center>

C1,C2为晶振的外部匹配电容

C<sub>stray</sub>为trace,pad and chip的寄生电容

C<sub>l</sub>则为我们需要的晶振参数。

计算开始：

如果chip有要求C1=C2=22pF,而C<sub>stray</sub>范围为3pF~7pF

那么：C<sub>L</sub>=11+（3~7）pF

C<sub>L</sub>（min）=14pF，C<sub>L</sub>（max）=18pF。

则可以拿着参数去找对应的晶振型号。

总结：上面两种方法，一种是先确定了晶振的参数，然后对应去算匹配电容范围，简单方便。另外一种是根据平台推荐的匹配电容，去算晶振的参数，然后去选择对应的型号。仔细看看，这两种方法其实是一样的。

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本文转载自： 硬件工程师
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