Vishay推出全球领先的汽车级80 V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度

由 winniewei 提交于周三, 7 四月 2021 - 10:52

器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---<a href="http://www.vishay.com/ppg?77266">SQJA81EP</a>。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。<a href="http://www.vishay.com/ppg?77266">SQJA81EP</a>采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装，10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。

日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52 nC，减少栅极驱动损耗，栅极电荷与导通电阻乘积，即用于功率转换应用的MOSFET优值系数（FOM）达到业界出色水平。

器件可在+175 °C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。

器件80 V额定电压满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，从而减少需要并联的元器件数量，节省PCB空间。此外，作为p沟道器件，SQJA81EP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需的电荷泵。 MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。

SQJA81EP现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 <a href="http://www.vishay.com/">www.vishay.com</a>。