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三极管

三极管的几种特殊用途

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半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。

通俗易懂的三极管工作原理

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<strong>1、晶体三极管简介</strong>

晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响,使pn结的功能发生了质的飞跃,具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。

如图1所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用,首先,制造工艺上的两个特点:
(1)基区的宽度做的非常薄;
(2)发射区掺杂浓度高,即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。

<strong>2、晶体三极管的工作原理</strong>

其次,三极管工作必要条件是
(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V);
(b)在C极和E极之间施加反向电压(此电压应比eb间电压较高);
(c)若要取得输出必须施加负载。

MOSFET与三极管的ON状态区别

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MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?

三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。

MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区),与三极管相似,电流Ids由Vgs和Vds决定,但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变,因而Ids可仅受Vds影响,即在Vgs固定的情况下,导通阻抗Rds基本保持不变,所以MOS管采用Rds方式。

电流可以双向流过 MOSFET的D和S ,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念,能量可以从输入传递到输出,也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。

三极管和MOS管驱动电路的正确用法

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<strong>1、三极管和MOS管的基本特性</strong>

三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下:

<center><img src="http://mcu.eetrend.com/files/2018-11/wen_zhang_/100015923-53433-1.jpg&q…; alt="三极管和MOS管驱动电路的正确用法"></center>

MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管):