二极管

二极管（Diode）是一种半导体器件，它具有两个电极（称为阳极和阴极），并且只允许电流在一个方向上通过。二极管是电子电路中的基本元件之一，具有多种应用，包括整流、开关、放大、保护和信号处理等。

　二极管以其单向导电特性，在整流开关方面发挥着重要的作用；其在反向击穿状态下，在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是，利用二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，这里将近一步讨论这个运用。

　　上次我们分享了关于“如何妙用二极管的导通压降”的知识，之后有用户要求了解更多有关电子类器件的知识，这里就来讲讲“如何妙用二极管减少寄生电容”。

二极管参数—单向导电性

　　提到二极管，大家最熟悉的就是二极管的单向导电性，反映伏安曲线上如图1所示。当正向偏压U=0.5V（硅管）时，二极管开始导通，电流越大电压越大，具有很低阻抗；当加反向偏压时二极管不导通，在一定范围内有很小的漏电流，具有很大阻抗。其这个单向导电性，也起到了开关的作用，所以在整流和开关方面都有广泛的应用。

我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗？如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。

我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。

1、正向导通压降与导通电流的关系

硅用来做CPU，是因为它的优点太多，而缺点都是可克服的。锗虽然也有优点(比如开启电压、载流子迁移率)，但它的几个缺点是很难克服的。

CPU就是在一张硅片上，刻几百万个晶体二极管。

制成二极管，硅的开启电压(死区电压)需要0.5V，锗的开启电压只需0.1V。也就是锗CPU只需零点几的电压就能运行，比现在的1V低多了，也算CPU的革命吧。

电压更低，意味发热量更少，集成度和频率可以更高。

这些小尺寸器件适合智能手机和可穿戴设备，高度小于0.4mm，典型电容低至0.35pF

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的双向对称（BiSy）两线ESD保护二极管---<a href="http://www.vishay.com/ppg?85923">VBUS05M2-HT1</a>。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封装，可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封装的产品节省空间，具有超低电容和漏电流，可保护高速数据线免受瞬变瞬态电压信号的干扰。