二极管

<font color="#FD8900">更低损耗和更快开关带来高能效、节省空间的方案和更低系统总成本</font>

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。

SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰（EMI），减小的系统尺寸和降低的成本使SiC成为越来越多的高性能汽车应用的极佳选择。

安森美半导体的新的SiC二极管采用流行的表面贴装和通孔封装，包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特(V)第一代器件和FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢复、低正向电压、与温度无关的电流稳定性、极低漏电流、高浪涌电容和正温度系数。它们提供更高的能效，而更快的恢复则提高了开关速度，从而减小了所需的磁性元件的尺寸。

<font color="#FD8900">设备提供精准的信号探测，SMD封装尺寸仅为4.8mm×2.5mm，断面实现业界领先的超薄0.48mm</font>

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出了新的光电子产品系列，发布了一款全新的可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管---VEMD8080。Vishay的新型号VEMD8080采用矩形4.8 mm×2.5 mm顶视表面贴合封装，并采用业界领先的0.48mm轻薄断面，比同类解决方案低0.37 mm。Vishay半导体VEMD8080具有快速开关时间和47 pF的低电容值，可用于在可穿戴设备和医疗应用中需求的精确信号检测。

今日发布的这款产品运用Vishay成熟的晶圆技术，凭借尺寸达4.5mm²的感光面积，以及超高的辐照感光度（28μA的反向光电流和0.2 nA的暗电流），可在较广的光谱范围内检测从350纳米到1100纳米的可见光和近红外辐射。对于绿色LED，VEMD8080的灵敏度相较上一代解决方案的标准水平提高了30%。

<font color="#FD8900">器件的电压和电流范围宽，有3种封装选择，可用于车载充电机</font>

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出37颗用于汽车的新款高压晶闸管和二极管。这些Vishay Semiconductors公司的器件通过AEC-Q101认证，重复性电压从600V到1600V，电流范围宽，有3种封装可供选择。

今天发布的这些器件采用表面贴装的DPAK（TO-252AA）和D2PAK（TO-263AB）封装，还有通孔TO-247AD封装。9个新晶闸管在导通状态下的连续有效电流范围从12A到79A，28个标准和快恢复二极管的正向电流范围从8A到65A。这些器件能承受1000V/μs的抗扰能力。

这些晶闸管和二极管可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的50Hz/60Hz交流车载充电机的整流桥，电源功率范围从3kW到超过30kW。为防止涌入电流伤害整流桥，晶闸管可以提供软启动功能，从而避免使用电阻和大尺寸的机械式继电器，增加系统可靠性。

<font color="#FD8900">单向或双向ESD和浪涌保护可选</font>

Littelfuse公司，今日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件，最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。

<center><img width="300" src="http://mcu.eetrend.com/files/2018-05/wen_zhang_/100011443-40426-lie.jpg…; alt="Littelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列"></center>

<font color="#FD8900">市面上首款01005型瞬态抑制二极管阵列，采用全密封型DNF塑料封装</font>

4月12日 - Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业，今天推出了两个符合AEC-Q101标准的单向瞬态抑制二极管阵列产品系列，其专为保护I/O和电源端口免于静电放电（ESD）损坏而进行了优化。 SP1053和SP1054系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)集成了多个采用专有硅雪崩技术装配的雪崩击穿二极管来保护每个引脚。 这类装置为单向全密封型瞬态抑制二极管，采用紧凑的01005型塑料封装；这两个特点是瞬态抑制二极管阵列市场中的首创。 这种可靠的二极管可在±8kV (SP1053)或±30kV (SP1054)条件下安全吸收重复性ESD震击，而不会造成性能减退。 此外，每个二极管均可在钳位电压极低的情况下，安全承受1.0A (SP1053)和2.5A (SP1054)浪涌。

<font color="#FD8900">适用于新一代移动标准及物联网网络，可在高达95°C的恶劣环境中实现高速稳定的光通信</font>

瑞萨电子株式会社今日宣布，推出全新直调激光器（DML）二极管---RV2X6376A系列。该DML二极管将四个波长的25 Gbps作为100 Gbps光收发器的光源，支持4.9G和5G LTE基站、以及数据中心路由器和服务器之间的高速通信。RV2X6376A系列是业界首款DML二极管，它支持全速25 Gbps（基于单个激光器）和工业温度（-40°C至95°C）无需冷却。

RV2X6376A系列的设计采用经典的NRZ调制的紧凑型100 Gbps QSFP28光收发器模块。 它们与粗波分复用（CWDM4）标准兼容，每通道25 Gbps，通过复用4个通道，实现100 Gbps。RV2X6376A系列扩展了激光二极管系列产品，集成了已在数据中心中大规模应用且工作温度在-5°C至75°C范围内的NX6375AA系列。RV2X6376A系列产品除了具有通信基站所必须的耐用性和可靠性之外，还可进一步提升稳定工作温度范围，以满足数据中心客户的需求。

<font color="#FD8900">器件采用SMT封装，20mA时辐射功率达3.8mW，发射角为±62.5°</font>

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC（短波紫外线）发光二极管---VLMU60CL..-280-125，用于杀菌、环境卫生和净化。Vishay Semiconductors VLMU60CL..-280-125的使用寿命极长，采用6mm x 6mm x 1.6mm表面贴装封装，可替换水银UVC灯。

与采用PLCC2封装，发射角为±60°的器件相比，Vishay今天推出的这颗器件的发射角为±62.5°，在20mA电流下的辐射功率为3.8mW，不需要另外加外置透镜。VLMU60CL..-280-125采用AlGaN技术制造，正向电流为40mA，正向电压低至4.4V，波长从270nm到290nm。

发光二极管的性能规格使其非常适合用来净化水和空气、物理方式的表面杀菌、医院消毒，以及便携式消毒设备。VLMU60CL..-280-125符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，适应回流焊工艺，潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准的3级。

本技术简介论述了基于Microchip 的8位PIC®单片机实现多相PWM控制器的方法。

这个目标可通过使用8位单片机器件中的特定可自由配置的独立于内核的外设（Core Independent Peripheral，CIP）来实现。

<font color="#0000C6" size="4"><a href="http://mcu.eetrend.com/files/2017-12/wen_zhang_/100009546-32316-8001001…《采用8位PIC®单片机实现具有二极管仿真的多相交错式PWM控制器》</a></font>

<strong>(一)普通二极管的检测</strong>

(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

1.极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大(为反向电阻)，一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

2.单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

Littelfuse今天推出了SP11xx系列双向瞬态抑制二极管（SPA®二极管）中的最新产品——80A离散型双向瞬态抑制二极管。 SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极管可为电路设计师提供更低的断态电压，用于保护低压电源总线免受静电放电（ESD）的损坏。

这种二极管采用专有的硅雪崩制造技术以瞬态抑制二极管构成，可保护每个I/O引脚，为对破坏性ESD高度敏感的电子设备提供高水平保护。 该二极管功能强大，可安全吸收±30kV的反复性ESD震击而不会造成性能减退。 此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散80A的8/20μs波形浪涌电流。

SP1103C系列瞬态抑制二极管阵列常用于汽车电子设备、工业产品、消费电子产品、开关/按钮、测试设备/仪表、销售点终端、医疗设备、笔记本电脑/台式机/服务器和电脑周边设备。

“ SP1103C系列具有更强大的ESD保护能力，让制造商能够提供超越IEC标准最高级别的ESD保护性能。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “它还能防范多种其他威胁，确保产品在现场发挥更加可靠的性能。”

SP1103C系列瞬态抑制二极管阵列具有以下关键优势：