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英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。

英飞凌混合反激式控制器XDP™与CoolGaN™ IPS深度融合,助力安克创新打造具有更高效率和功率密度的新快充产品

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为了满足消费者的充电需求,英飞凌科技股份公司发布了一项创新的解决方案,该解决方案集成了混合反激式(HFB)控制器XDP™数字电源控制器 与600 V CoolGaN™集成功率级(IPS)产品(IGI60F1414A1L)

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