CoolSiC

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。

CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度

近日，英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司（Bloom Energy）选中，用于其燃料电池产品布鲁姆能源服务器（Bloom’s Energy Server）以及布鲁姆电解系统（Bloom Electrolyzer）中的功率变换。