GaN

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货GaN Systems的

贸泽电子（Mouser Electronics）即日起开始分销Qorvo的QPA2308 MMIC功率放大器。QPA2308专为商业和军事应用而设计，能为5至6GHz 射频（RF）设计提供高功率密度和附加功率效率。

系统对放大器输出功率的要求越来越高，这就推动了技术的发展。但在引入了新技术之后，随之也会带来新的挑战。在本文，我们谈一下GaN射频器件的热分析问题。

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基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器和牵引电机逆变器）。为了充分利用新型功率转换技术，必须在转换器设计中实施完整的IC生态系统，从最近的芯片到功率开关和栅极驱动器。

对于氮化镓 (GaN) 功率放大器，设计师需要考虑非线性操作，包括 RF 电流-电压 (I‑V) 波形会发生的状况。优化非线性行为设计的一种方法就是仿真内部 I-V 波形。本文将为您介绍：

• I-V 波形的定义

• 功率放大器工作类型

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摘要

氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。