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在集成电路中，场效应管（FET）无疑是电流控制元件中的一大明星。当今电子设备正不断朝着高度集成、快速运行的方向发展，这对FET的体积和速度提出了更高的要求。此外，随着5G、快速充电等消费电子新技术得到普及，以及无人驾驶等高新尖端科技如火如荼地发展，电子元件需要更好地满足高能效、高速、高频率等要求，这正是GaN技术崭露头角的机会。

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