Nexperia

Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。

Nexperia宣布了全球增长战略最新举措，即在未来12个月至15个月期间投资7亿美元用于扩建欧洲的晶圆厂、亚洲的封装和测试工厂和全球的研发基地。

基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，

Nexperia宣布扩充了旗下的Trench肖特基整流器产品组合，最新推出额定电压和电流分别高达100 V和20 A的全新器件，具有出色的开关性能和领先的热性能。

基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。

Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。

Nexperia宣布与联合汽车电子有限公司在功率半导体氮化镓（GaN）领域展开深度合作，旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。

关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。

基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。 新投资与公司的发展战略相吻合。

Nexperia今天宣布新推出三款紧凑型TrEOS保护器件，用于在USB3.2、HDMI2.1和其他高速数据线中抑制ESD。