英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2,将工业应用功率密度提升至新高度 winniewei / 周一, 4 八月 2025 - 10:12 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出了采用顶部散热(TSC)Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。 阅读更多 关于 英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2,将工业应用功率密度提升至新高度登录或注册以发表评论