技术
氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步,使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。
通过减少器件的寄生元件,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
作为反射频电子战(CREW)应用的首选技术,GaN已有成千上万的放大器交付实际使用。现在,该技术也被部署到机载电子战领域,开发中的放大器能够在RF/微波范围的多个倍频程上提供数百瓦的输出功率。
ADI的“比特转RF”计划将整合公司在基带信号处理和GaN功率放大器(PA)技术方面的优势。通过使用预失真和包络调制等技术,这种整合将有利于提高PA线性度和效率。
<font color="#FF8000">贸泽电子Stephen Evanczuk</font>
互联网汽车是作为一种新兴的发展趋势,在交通运输方面的地位日趋凸显。但互联网汽车却并不仅仅是一种交通工具,还即将成为个人移动设备的载体。结合个人电子学,互联网汽车将移动设备与汽车的功能整合到一个独立、安全、个性化的环境中,重新定义了移动体验。
智能手机作为一种文化符号,尤其针对零零后的一代来说,早已取代了汽车。据Pew统计,因得益于多功能性,智能手机的应用发展迅猛,甚至超越了其他服务商及媒介(图1)。
简介:在绘制原理图时,人们对系统接地回路(或 GND)符号总是有些想当然。GND 符号遍及原理图的各个角落,而且原理图假定不同的 GND 在印刷电路板 (PCB) 上都将处在相同的电势下。
在绘制原理图时,人们对系统接地回路(或 GND)符号总是有些想当然。GND 符号遍及原理图的各个角落,而且原理图假定不同的 GND 在印刷电路板 (PCB) 上都将处在相同的电势下。事实上,经过 GND 阻抗的电流会在 PCB 上的 GND 连接之间创建电压差。单端 dc 电路对这些 GND 压差尤其敏感,因为预期的单端电路可转变为差分电路,导致输出误差。
太阳能不再是一项新兴技术,而是正在经历重大技术变革的技术,日趋成熟。我们朝着电网平价—太阳能成本与传统能源发电类型的成本相当,并且改进传统能源发电类型的构成—的目标越来越近,因为将面板中的直流电转换为可用交流电的过程变得更加高效且经济实惠。
但是,虽然太阳能面板在近几年价格显著降低,但下一波太阳能发展浪潮将由功率转换器系统的新技术推动。先进复杂的多级功率开关拓扑的兴起将基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料,加上更高的工作电压(最高1600 VDC),实现更加快速的功率开关,与传统系统相比,性能将大幅提高。更高的开关频率意味着功率转换器的无源元件—即,感应线圈和电容—尺寸可以大幅减小,从而可减轻重量、降低成本。这两项均为太阳能市场进一步扩大的关键优势。
<strong>1.变压器饱和</strong>
<strong>变压器饱和现象</strong>
在高压或低压输入下开机(包含轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等情况下,通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长,当出现此现象时,电流的峰值无法预知及控制,可能导致电流过应力和因此而产生的开关管过压而损坏.
RFID正逐渐与传感技术融合,传感技术与RFID技术的融合将构建一个无所不在、随时被人们感知的“传感网络”,这经给医疗用品管理,特别是血液管理带来了一个新的契机。而我国作为制造业大国与消费大国之一,应牢牢抓住这一机遇,推动本土RFID产业的发展,提升社会信息化的水平。
<strong>RFID融合传感技术用于血液管理的可行性</strong>
光电二极管是很多光学测量中最常用的传感器类型之一。诸如吸收和发射光谱、色彩测量、浑浊度、气体探测等应用均有赖于光电二极管实现精密光学测量。
光电二极管产生与照射到活动区的光量成比例的电流。大多数测量应用都需要用到跨阻放大器,以便将光电二极管电流转换为输出电压。图1显示电路的原理示意图。
作者:Paul Pickering
物联网(IoT)已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分,无法想象如果不能在快到家的时候从手机上打开热水器的生活会是什么样子。如果想要实现上面提到的这个功能或者其他更重要的功能,就需要一个由许多组件构成并且无缝协作的生态系统。IoT架构(图1)可以根据功能分为多个层:
1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念,而是数个billion。
2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺,Fin Pitch小于 50nm,可以说是技术上的一个飞跃了。关于所谓的14nm,实际只能初略的反映工艺的一个技术节点,真正的沟道长度要比14nm要长一些。
3. 关于14nm之后的技术,目前理论预测的极限大概在3nm左右。出去开会的时候和一些工业界的大牛们有过一些学习,据说目前10nm已经完成了大规模生产最初阶段的论证,而7nm也基本完成了实验室阶段的研发。感觉5nm,甚至是3nm只是时间上的问题。
<strong>开关电源基本原理图</strong>
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<strong>1.一次电路(Primary Circuit) : </strong>
直接与外部电网电源连接的.
基础元器件里面,电阻接触的比较早,也比较贴近实际,所以比较好理解,电容因为经常用,所以也有些概念,但对于电感,绝大多数人没有概念,这样就阻碍了对模拟电路深入理解,对于模拟电路,尤其是干扰方面,最大的干扰源往往是电感引起的,所以理解电感对于降低干扰,提高系统可靠性有很大的帮助。
<strong>等效电路:</strong>
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设计中采用了专门的芯片组成了PWM信号的发生系统并且对PWM信号的原理、产生方法以及如何通过软件编程对PWM信号占空比进行调节从而控制其输入信号波形等均作了详细的阐述。另外本系统中使用了红外对管对直流电机的转速进行测量,经过整形电路后将测量值送到单片机,并且最终作为反馈值输入到单片机进行PID运算从而实现了对直流电机速度的控制。在软件方面,文章中详细介绍了PID运算程序初始化程序等的编写思路和具体的程序实现。
<strong>什么是集电极开路(OC)?</strong>
我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为"0"时,输出也为"0")。
对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极C跟发射极E之间相当于断开),所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)。
<strong>低频纹波</strong>
低频纹波是与输出电路的滤波电容容量相关。由于开关电源体积的限制,电解电容的容量不可能无限制地增加,导致输出低频纹波的残留,该输出纹波频率随整流电路方式的不同而不同。
一般的开关电源由AC/DC和DC/DC两部分组成。AC/DC的基本结构为整流滤波电路,它输出的直流电压中含有交流低频纹波,其频率为输入交流电源频率的二倍,幅值与电源输出功率及滤波电容容量有关,一般控制在10%以内。该交流纹波经DC/DC变换器衰减后,在开关电源输出端表现为低频噪声,其大小由DC/DC变换器的变比和控制系统的增益决定。
“优势”总是和“挑战”站在一起,即使被称为“下一代SDR收发器中的黑魔法”,“零中频”现在也面临一个亟待克服的挑战——发射本振泄漏,简称“发射LOL”。
未校正的发射LOL会在所需发射范围内产生无用发射,造成潜在的违反系统规范的风险。本文论述发射LOL的问题,并介绍在ADI的RadioVerse™ 收发器系列中实现的可消除此问题的技术。如果可以将发射LOL降低到足够低的水平,使其不再导致系统或性能问题,也许人们就可以不必为LOL问题而烦恼!
<strong>什么是LOL?</strong>
RF混频器有两个输入端口和一个输出端口,如图1所示。理想混频器将产生一个输出,它是两个输入的乘积。就频率而言,该输出的频率应当是FIN + FLO以及FIN – FLO,不含其它项。如果任一输入不在驱动状态下,则不会有输出。
DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压。
<strong>一、解释</strong>
许多实际高速采样系统,如电气测试与测量设备、生命系统健康监护、雷达和电子战对抗等,不能接受较高的ADC转换误差率。这些系统要在很宽的噪声频谱上寻找极其罕见或极小的信号。误报警可能会引起系统故障。因此,我们必须能够量化高速ADC转换误差率的频率和幅度。
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WiFi日益成为全球互联网连接的首选模式。根据博客网站Gigaom发布的信息, 到2020年,将会有240亿台设备连接到互联网上。而绝大多数设备将会使用无线的方式访问互联网。尽管越来越多的人知道WiFi,但是其实际上是如何工作的却并不为多数人所知。即使在IT专家圈中,关于WiFi网络的某些事实也往往被误解。下面就列举业界关于WiFi的十大常见误解。
<strong>一.TTL</strong>
TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源.
<strong>1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol</strong>
Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V
<strong>2.输入高电平和输入低电平</strong>
Uih≥2.0V,Uil≤0.8V
<strong>二.CMOS</strong>