电容
为什么需要那么多种电容
我们都知道电容是电路中使用量最多的器件,我们经常接触的电容是陶瓷电容、铝电解电容、钽电解电容。我们电路设计越来越多的是以MCU、CPU为核心的数字电路设计,周边的时钟、电源电路。所以我们以这三种电容为主。
因为数字电路,所以有大量的数字电路输出的“0”“1”翻转导致,需要大量的去耦电容。
图中开关Q的不同位置代表了输出的“0”“1”两种状态。
假定由于电路状态装换,开关Q接通RL低电平,负载电容对地放电,随着负载电容电压下降,它积累的电荷流向地,在接地回路上形成一个大的电流浪涌。
随着放电电流建立然后衰减,这一电流变化作用于接地引脚的电感LG,这样在芯片外的电路板“地”与芯片内的地之间,会形成一定的电压差,如图中VG。同样的对于电源端,每次信号翻转,都会引入了电压差。
当N多的翻转出现的时候,我们需要运用去耦电容,去耦电容可以防止这种噪声向外传播,所以我们放一些电容靠近器件的电源管脚。
无源晶振匹配电容—计算方法
以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数,今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法:
如上图,是常见的的无源晶振常见接法,而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法,有两种:
A,知道晶振的负载电容Cload,需要计算Ce1与Ce2;
B,某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。
方法A:
如上图:Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)]