GaN

交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市

交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市

面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器

该方案为工程师提供了一个经过验证的高性能起点，旨在大幅缩短研发周期、加速产品上市进程。

在追求高效能与高功率密度的现代电力电子领域，氮化镓（GaN）技术正引领着一场深刻的变革。为应对快速充电、数据中心能源、绿色照明及工业电源等应用对开关频率、效率与可靠性的严苛要求，集成化、智能化的功率半导体解决方案已成为行业发展的关键。

为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。

随着电力电子系统追求更高的效率和密度，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）半导体在新能源领域有了更多的应用

该文章将介绍 GaN 技术的快速发展如何改变电源系统，开发出强大、高效的解决方案。