在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将GaN用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了TI LMG341XRxxx GaN功率级系列非常重要的权衡标准和注意事项，包括PCB布局、热界面、散热器选择和安装方法指南。还将提供使用50mΩ和70mΩ GaN器件的设计示例。

德州仪器（TI）今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59%。

高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)今天发布了有关其GaN技术的质量和可靠性(Q+R)的最新信息。

GaN为何这么火？如果再有人这么问你，最简单的回答即是：因为我们离不开电源，并且不断追求更好的电源系统。

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<p>贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 即日起开始备货<a href="https://www.mouser.com/manufacturer/texas-instruments/">Texas Instruments</a> (TI) 的<a href="https://www.mouser.com/new/texas-instruments/ti-lmg341xr050-gan-power-s… (GaN) 功率级。

<p>贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 即日起开始备货<a href="https://www.mouser.com/manufacturer/gan-systems/">GaN Systems</a>的<a href="https://www.mouser.com/new/gan-systems/gan-systems-gs-evb-hb-66508b-on1…。

贸泽电子（Mouser Electronics）即日起开始分销Qorvo的QPA2308 MMIC功率放大器。QPA2308专为商业和军事应用而设计，能为5至6GHz 射频（RF）设计提供高功率密度和附加功率效率。这款单片微波集成电路（MIMC）功率放大器采用Qorvo的0.25um碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）工艺制成，紧凑型15.24×15.24mm螺栓封装可简化系统集成度，提供优异的性能。

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系统对放大器输出功率的要求越来越高，这就推动了技术的发展。但在引入了新技术之后，随之也会带来新的挑战。在本文，我们谈一下GaN射频器件的热分析问题。

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本文转载自：Qorvo半导体
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<p>专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 即日起备货<u><a href="https://www.mouser.com/Texas-Instruments/">Texas Instruments</a></u> (TI)的<u><a href="https://www.mouser.com/ti-lmg3410r070-gan-power-stage/">LMG3410R070</a>…; 600

基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器和牵引电机逆变器）。为了充分利用新型功率转换技术，必须在转换器设计中实施完整的IC生态系统，从最近的芯片到功率开关和栅极驱动器。

隔离式栅极驱动器的要求已经开始变化，不同于以前的硅IGBT驱动器。对于SiC和GaN MOSFET，需要高CMTI >100 kV/μs、宽栅极电压摆幅、快速上升/下降时间和超低传播延迟。ADI的ADuM4135隔离式栅极驱动器具备所有必要的技术特性，采用16引脚宽体SOIC封装。配合ADSP-CM419F高端混合信号控制处理器，它们可以对基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器的高速复杂多层控制环路进行管理。