MOSFET

湖南静芯推出耐压 (Vds) 为100V的N沟道增强型MOSFET ESP10N10BK，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域，完美匹配主流PoE功率级别。

新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能。

• 成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力

本文简要讨论了小型、智能、电池供电型设备设计者所面临的挑战。然后说明如何使用Nexperia的小型封装 MOSFET 来解决这些挑战

日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出其全新的 aMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台。

在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、

在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、

Wolfspeed 最新 TOLT 封装 650V 第四代 (Gen 4) MOSFET为 AI 数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案

长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平16.6%，系统损耗和温升得到大幅改善。