MOSFET

通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。

SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点，其典型值仅为 13mΩ（V_GS = 10V），最大值不超过 18mΩ（V_GS = 10V），能有效降低导通损耗

本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。

省去繁琐且高成本的器件阈值电压匹配环节

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。

新器件具有超低导通损耗，导通电阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可实现460A以上的安全电流。

车规级CCPAK1212封装可提高48 V设计的功率密度

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。