MOSFET

在面向功率电子专业人士的网站上，如何导通 MOSFET 的话题可能不值一提，就好像在烹饪展上问如何把水烧开一样。毕竟这不应当是个大问题。与双极型器件不同，场效应晶体管是多数载流子器件（majority carrier device）。我们无需担心电流增益，定制基础电流以匹配 hfe 和可变集电极电流的极值，或者提供负压驱动。

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS)，MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件：

1)上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形;

2)感性谐振腔并有足够的感性电流;

3)要有足够的死区时间维持ZVS。

1、SiC材料的物性和特征

本视频我们将讨论如何使用分立式晶体管代换集成型 MOSFET 驱动器。

MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~

1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET（金氧半场效晶体管）

本视频我们将了解同步降压调节器，以及如何划分两个MOSFET功率级的成本。

本视频我们将介绍如何估算 MOSFET 上的瞬态温升。

MOSFET是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管，他能够控制电流的的流动，将较小的信号放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态，那么在处于ON状态时，这两者有什么区别呢?

为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？

只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。

虽然我们对这个问题的答案非常肯定，但你们或许会继续问——