Integra Technologies面向任务关键型国防应用领域发布业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术

由 winniewei 提交于周四, 15 七月 2021 - 10:41

Integra的首款100V射频氮化镓产品IGN1011S3600可为下一代航空电子系统提供3.6千瓦的突破性输出功率，效率达70% 
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Integra是致力于让世界更安全、联系更紧密的创新型射频和微波功率解决方案领先供应商。公司推出业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。与更常见的50V/65V氮化镓技术相比，Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能，同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。客户最终可以受益于更小的系统占用空间和更低的系统成本。


Integra总裁兼首席执行官Suja Ramnath表示：“Integra的100V射频氮化镓技术的问世是高功率市场的一个重要里程碑。此项创新技术可以消除目前限制系统性能的障碍，并支持采用以前无法实现的新架构。我们很高兴这种颠覆性技术将使我们的客户能够提供新一代高性能、多千瓦射频功率解决方案，同时减少他们的设计周期时间和降低产品成本。”


航空航天与国防雷达系统架构师、技术主管Mahesh Kumar博士表示：“市场首创的Integra 100V射频氮化镓技术将彻底重新定义高功率射频系统的可能性。”此项技术与单个封装的50V氮化镓晶体管相比，可以提供约为其两倍的功率，因此可以去除大量的合成器和相关的电子电路，从而缩小系统体积，减轻重量和降低成本，同时提高系统效率。


Integra的首款100V射频氮化镓产品是IGN1011S3600，专为航空电子应用而设计。IGN1011S3600输出功率为3.6千瓦，增益19dB，效率70%，在业界领先。IGN1011S3600基于Integra的100V射频氮化镓技术，对于需要改进尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的项目来说，是一款极具吸引力的解决方案。可以向具有资质的客户提供IGN1011S3600 100V射频氮化镓/碳化硅产品的样品。

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<tbody>
<tr>
<td>

器件型号

</td>
<td>

IGN1011S3600

</td>
</tr>
<tr>
<td>

频率范围

</td>
<td>

1030-1090 MHz

</td>
</tr>
<tr>
<td>

输出功率

</td>
<td>

3600W

</td>
</tr>
<tr>
<td>

效率

</td>
<td>

70%

</td>
</tr>
<tr>
<td>

大信号增益

</td>
<td>

19 dB

</td>
</tr>
<tr>
<td>

漏极偏压

</td>
<td>

100V

</td>
</tr>
</tbody>
</table>

关于INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.


Integra成立于1997年，是射频和微波高功率半导体和放大器模块解决方案的领先创新者，其解决方案适用于众多任务关键型应用领域，包括先进的雷达、电子战和高级通信系统。欲了解更多信息，请访问<a href="https://cts.businesswire.com/ct/CT?id=smartlink&url=http://www.inte… style="font-size:16px;font-family:Arial;">www.integratech.com</a>。


原文版本可在businesswire.com上查阅：<a href="https://www.businesswire.com/news/home/20210713005174/en/">https://www…;

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